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铜铟镓硒粉末 铜铟镓硒靶材 CIGS粉末

铜铟镓硒粉末 铜铟镓硒靶材 CIGS粉末--点击浏览大图
“铜铟镓硒粉末 铜铟镓硒靶材 CIGS粉末”参数说明
加工定制: 种类: 化合物半导体
特性: 99.999% 用途: 铜铟镓硒
型号: 5n 规格: 粉末
商标: 阿尔法 包装: 真空包装
产量: 8000
“铜铟镓硒粉末 铜铟镓硒靶材 CIGS粉末”详细介绍
铜铟镓硒CIGS靶材 提供各种靶材用于磁控溅射工艺制备CIGS薄膜 一,四元合金靶材:CIGS靶材 ? 1 ,常规原子比:1:0.7:0.3:2?或者1:0.8:0.2:2(客户亦可根据自身工艺制订原子比例) 技术对接:CVD合成四元合金(高精分析天平称量,各种元素的配比公差低于百万分之一)--氮气保护下研磨制粉–HP(热压)--检验—打磨,抛光。 ? 2 ,检验:ICP-MS;XRD 通过ICP-MS检测杂质含量:5N的CIGS靶材的杂质元素总和小于10ppm? ??? 通过XRD衍射:CIGS具备闪锌黄铜矿结构。(可提供检验报告和样品) ? 3 ,靶材致密度:大于93% 4 ,服务:可免费提供导电玻璃和99.999%的硒粉。硒粉用于客户最后的硒化工艺,因为磁控溅射CIGS的过程中有硒的流失。 ? 5 ,安全防护措施:提供MSDS及溅射过程中的必要防护。 二,三硒化二铟(In 2Se 3)靶材;三硒化而*(Ga 2Se 3)靶材,硒化亚铜(Cu 2Se ),或者硒化铜(CuSe)靶材 技术对接:CVD合成二元合金– HP(热压)--检验—打磨,抛光。 三,铜*(CuGa);铜铟(CuIn);铜*铟(CuGaIn)靶材 * 配方原子比例:客户可自选,我方亦可以提供常规原子比例。 四,铜(Cu)靶;铟(In)靶,硒(Se)靶 技术对接:浇铸 五,CIGS配套靶材 ??? N 型:*化镉(CdS )靶,*化锌(ZnS)靶,硒化锌(ZnSe)靶。 氧化锌铝(AZO)靶,钼(Mo)靶 1 ,由于*化镉有毒,所以*化锌,硒化锌靶为其替代品。试验表明硒化铟也有此属性。 2 ,*化镉,*化锌,硒化锌制备工艺:CVD高纯氩气携带金属蒸汽(镉,锌蒸汽)进入反应室与过量的H 2S,H 2Se 气体气相沉积而成。
? 东莞阿尔法金属材料有限公司成立于2014年,主要生产,研发,销售各种高纯金属材料,半导体化合物,真空镀膜材料,高纯高致密磁控溅射靶材,各种合金产品。公司以诚信为本,质量第一为经营理念。以市场为先导,不断创新,研发各种新型材料,满足客户需求。公司位于成都市锦江工业园区,距双流国际机场25公里。
? ?公司现有靶材热压炉;真空蒸馏装置,电解槽,单晶炉,区熔装置,CVD(化学气象沉积)装置,PVD(物理气象沉积)装置,移动式加热装置等多种高纯金属和化合物生产研发设备;提纯工艺包括:真空蒸馏;精馏;区域熔炼;电解;化学气象沉积;物理气象沉积;热扩散;单晶提拉法等。材料种类包括:光电材料,热电材料,相变材料,镀膜材料等。纯度从99.99%-99.99999%,材料广泛应用于光伏,光电,电子行业,镀膜,医药行业,军工,科研等领域。
? 产品范围包括特种陶瓷,单质金属,合金,半导体化合物及各种复杂合成的新材料 及制品(纯度从低至高,高至99.99999%)。尤其在磁控溅射靶材,真空镀膜材料,高纯化合物半导体材料,蒸馏稀土金属,稀土合金,稀土氟化物,特种合金具有极大的优势。
自有设备:真空热压炉,真空中频感应熔炼炉,冷坩埚悬浮熔炼炉,非自耗真空电弧炉,真空高温加热炉,真空烧结炉,真空蒸馏炉,定向凝固,区域熔炼炉,多温区加热炉,单晶炉,高温烧结炉,单温区,双温区、多温区液相、气相合成炉、氧化炉、加工设备。
编辑:东莞阿尔法金属材料有限公司  时间:2019/09/02